2019年11月20日下午，英国布里斯托大学原熙博教授应邀来我院做学术报告，报告会由学院副院长段纳教授主持，教师代表及全体研究生聆听了报告。
原熙博教授报告题目为“Application ofSilicon-carbide (SiC) Power Devices and Converters: Opportunities, Challengesand Potential Solutions”。 报告会上，原教授首先简要介绍了其科研团队主要成员及重要科研成果。而后，针对宽禁带半导体器件应用中存在的机遇、挑战等关键技术问题进行了深入浅出的讲解与分析，并分享了其所带团队科研过程中遇到的实际技术难点及具体的解决方案，为学院师生科研提供了宝贵的经验。最后，就一些师生关心的技术问题展开了热烈的讨论，师生热情提问，原教授一一解答，在座师生受益匪浅。
原熙博，英国布里斯托大学电气与电子工程系教授、英国皇家工程院/赛峰 (Safran) 航空集团讲席教授 (Chair Professor)、英国国家电力电子中心执行委员会委员，IET电力电子、电机和驱动系统（PEMD）协会执行委员会委员，英国电气与工程协会会士（IET Fellow）。主持多项英国基金委、科技部、欧盟及企业研究中心重大研究项目。荣获英国皇家工程院杰出学者基金，2018年The Isao Takahashi Power ElectronicsAward（日本高桥熏电力电子奖）, IET Mike Sargeant奖章。在IEEE / IET期刊和会议发表论文100余篇，其中包括52篇IEEE 期刊论文， 为《IEEETransactions on Industry Applications》和《IEEE Journal ofEmerging and Selected Topics in Power Electronics》期刊的副编辑。对解决与宽禁带半导体器件应用相关的各种问题并充分发挥其高速、高温和高压的性能有较深入的研究。
